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Pbn热解氮化硼坩埚

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Pbn热解氮化硼坩埚
  • MSJ/BN009
  • 热解氮化硼(PBN)
  • 定制
  • 每种10个
  • 化合物半导体晶体生长

PBN陶瓷(热解氮化硼,pyrolytic BN)是一种先进陶瓷,可以通过化学气相沉积(CVD)成型方法生产纯度为99.999%的陶瓷,无需经过传统的热压烧结工艺。 PBN陶瓷具有纯度高、化学惰性、热稳定性好、低释气、不润湿等特点,使用寿命长,是电炉、电气、微波、半导体元件的理想材料。

如有任何疑问,请发送电子邮件至 info@mascera-tec.com 或致电 +86 13860446139

产品信息

Pyrolytic Boron Nitride Crucible


PBN陶瓷(热解氮化硼,p热解氮化硼)是一种高级陶瓷,可生产纯度99.99%采用化学气相沉积(CVD)成型方法,无需经过传统的热压烧结工艺。 PBN陶瓷具有 高纯度、化学惰性、热稳定性、低释气、不润湿特性和长使用寿命, 它是熔炉、电气、微波和半导体元件的理想材料。  


Mascera是生产PBN坩埚的专家,我们拥有能够制造各种尺寸和配置的高质量 PBN 坩埚, 我们的工程师从设计到生产都与客户密切合作,根据他们的需求提供PBN坩埚。目前我们能够生产的PBN坩埚包括MBE坩埚、VGF坩埚、LEC坩埚和OLED坩埚。 PBN坩埚广泛用于 化合物半导体(如GaAs、InP等)的晶体生长和 III-V族化合物。

 

PBN陶瓷主要性能

  • 高纯度 (>99.99%)

  • 高密度(>2.12克/立方厘米)

  • 高温下不释放气体

  • 厚度均匀,加热一致性好

  • 优异的导热性和耐热震性

  • 层间强度高、易清洗、重复使用

  • 化学惰性,高温下不与酸、碱、盐和有机溶剂发生反应


PBN陶瓷的典型应用

  • 用于原位合成GaAs、InP、GaP等半导体单晶的坩埚。

  • 用于合成其他 III-V 族化合物的单晶或多晶的坩埚和舟皿。

  • 用于分子束外延的MBE坩埚。

  • 退火炉用PBN/PG复合加热器涂层。

  • 高温真空炉中的绝热部件。

  • 石墨加热器绝缘涂层。

  • 高温绝缘喷嘴。

  • MOCVD绝缘板。

  • 异型坩埚及异型石墨件涂层。

  • 特种冶金坩埚


材料数据表

财产
单元
技术价值
密度
克/厘米31.95-2.22
晶格常数

一个:2.5x10-10     直径:6.8x10-10

抗拉强度
兆帕
80
弯曲强度
兆帕
243

导热系数(200℃时)

瓦/米克
82.3(a) 2.6(c)

导热系数(900℃时)

瓦/米克55.3(a) 2.8(c)
热膨胀系数
毫米/毫米/k
2.0×10-6(A)
介电常数(10GHz)
-
5.2(a) 3.8(c)
介电强度
平方/毫米56
电阻率
哦.厘米1015
总金属杂质
百万分之一≤10


包装及运输

包装类型带泡沫保护的纸箱
付款条件

TT / 西联汇款 / Paypal

预付款 50%,发货前付款 50%

装货港 Xiamen, China
运输方式海运/空运/门到门快递

Pbn Crucible

Pyrolytic Boron Nitride



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