氮化硅陶瓷基板与氮化铝陶瓷基板的区别
随着电子器件特别是第三代半导体的兴起和使用，半导体器件
越来越小型化、集成化、多功能化，对基板封装性能提出了更高的要求。陶瓷基板由于具有高导热率和耐热性、低热膨胀系数、高机械和绝缘强度、耐腐蚀和耐辐射等优点，被广泛应用于电子器件封装。
氮化硅陶瓷和氮化铝陶瓷由于具有优异的硬度、机械强度和散热性能，都可以生产用于电子封装的陶瓷基板，同时它们的性能和优点也有所不同。这是下面的区别。
1、散热差异
氮化硅陶瓷基板的导热系数为75—80W/(m·k)，而铝陶瓷基板在170W/(m·k)以上，氮化铝陶瓷基板的优势显而易见。
2、电量差异
氮化硅陶瓷基板的电容量为300A，铝陶瓷基板的电容量为100-300A。
3、机械强度的差异
氮化硅陶瓷基片具有比氮化硅陶瓷基片更好的断裂韧性氮化铝陶瓷基板，所以不容易被破坏。此外，氮化硅陶瓷基板具有更高的抗弯强度。氮化铝陶瓷基板的弯曲强度为365-420Mpa，氮化硅陶瓷基板的弯曲强度为720Mpa。同时氮化硅陶瓷基体具有更高的硬度和更好的耐磨性。这将提高机械强度和抗冲击性，使基材更加可靠。
4、应用上的差异
基于氮化硅陶瓷基板和氮化硅陶瓷基板的性能差异氮化铝陶瓷基板，他们习惯于不同的领域。氮化铝陶瓷基板更适合高导热、高绝缘和大电流应用。如大功率导热器件、大功率LED模块、半导体模块电路等。氮化硅陶瓷基板具有机械强度高、导热性好的特点，常被应用于高强度、低密度、耐磨性好的产品中。例如汽车逆变器、减速器、减震器等。
